蔡司X射线显微镜-揭露芯片内部引线及布局

撈哥

蔡司三维X射线显微镜揭露芯片内部引线及布局
而蔡司三维X射线显微镜 (XRM)提供了一种可行的无损解决方案，在不破坏样品的前提下，便能观察到从微米级至毫米级的物理特征和缺陷细节。如下右图，耗尽型GaN器件在封装材料下存在三个die，从左至右依次为GaN晶体管IC，主控IC，和次级控制IC。而对于我们友硕测试的单片集成增强型GaN器件(如下左图)，并没有搭配专门的驱动IC保证开通与关断，我们推测其可能是通过控制器直接进行驱动，或者是在GaN器件外直接搭建简单的电路进行驱动。除此之外，对于引线键合短开的异常、器件内部的缺陷，XRM都可以协助我们快速定位，并对下一步在高分辨电子显微镜下的失效分析提供指导。

蔡司X射线显微镜

蔡司X射线显微镜▲ X射线显微镜下未开盖的裸芯形貌和键合情况(左：增强型，右：耗尽型)

目前市场上量产的GaN功率器件，有两种主流的技术路径，即耗尽型GaN (Depletion-Mode, D-mode)，和增强型GaN (Enhancement-Mode, E-mode)。有别于此，我们将利用蔡司全系列显微系统完整的工作流对采用上述两种主流技术路线的GaN器件进行拆解和显微分析，以期获得直观的对比信息，以及相应的工艺特点(两种技术路径的原理详见文章末尾)。
首先，在光学显微镜下，两颗芯片呈现出不同的封装类型，增强型GaN器件使用的是双边扁平无铅封装(DFN)，并未见明显的引脚，封装面积约为64 mm2;而耗尽型GaN器件使用的是更为传统的24针小外形封装(InSOP-24)，两侧见明显引脚，封装面积约为104 mm2。在没有开盖的情况下，我们并未能探知利用共源共栅的Si MOS控制的耗尽型器件和单片集成的增强型器件存在显著的区别。

来源：http://www.yidianzixun.com/article/0kvz8d6Z
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