国产芯片成功开发第四代芯片材料，EUV光刻机将不再是阻碍

强大的强

美国通过限制ASML为中国供应EUV光刻机来阻止中国发展先进芯片，然而中国芯片并未因此止步，除了继续推进光刻机产业链之外，还在尝试新的办法研发先进芯片，那就是芯片材料，而日前消息指出中国在第四代芯片材料方面已取得重大突破。

芯片材料是绕开光刻机的一种重要途径，这方面其实美国也在做，美国一家新创企业就尝试将碳纳米管注入芯片中，由此以90纳米工艺生产的芯片性能却比7纳米硅基芯片还要强50倍，而功耗却更低。除了碳基芯片之外，全球芯片行业还在研发的芯片还有光芯片、量子芯片等，这些方面其实中国也在推进，中国已筹建了全球第一条光子芯片、量子芯片生产线，加速这些先进芯片技术的发展。此外其实还有第三代、第四代芯片材料等，在第三代芯片材料方面中国在氮化镓等方面已基本与海外保持同步，氮化镓芯片已广泛应用于LED、汽车芯片、充电器等行业，在第三代芯片材料方面取得进展之后，全球芯片行业如今开始瞄准第四代芯片材料。第四代芯片材料之一就是氧化镓，氧化镓具有更低的导通电阻、击穿电场强度等特性，在太阳能、汽车芯片等行业又广泛应用，对中国芯片来说更重要的是绕开EUV光刻机的限制，打破摩尔定律，开辟芯片技术新道路。

在氧化镓芯片材料研发方面，中国已与美国、日本等展开较量，依托于雄厚的芯片技术实力，美国无疑在氧化镓材料方面居于领先地位，正是由于它所拥有的技术优势，美国商务部在2022年发布一项新规，对包括氧化镓在内的四种技术实现出口管制，针对的无疑就是中国芯片。美国还拉拢了日本，日本在氧化镓方面也具有很强的技术优势，日本在全球最先实现了6英寸的氧化镓晶圆的制备。日本其实在芯片材料方面一直都有很强的实力，日本至今仍然占有硅晶圆市场六成的市场份额，台积电这家全球最大的芯片代工厂都要从日本进口硅晶圆，如此也就不奇怪日本在氧化镓晶圆方面取得领先优势了。中国芯片行业当然不会被美国的做法阻挡，中国在芯片技术基础方面也有不小的积累，这得益于中国很早就建立自己的工业基础体系，这种体系在如今光刻机的发展中就有所体现，美国通过拉拢全球诸多经济体阻止对中国出口光刻机等芯片设备，中国却迅速发展起自己的芯片设备体系，就证明了这个实力。在氧化镓材料研发方面，其实中国在全球也是居于前列，日前西安邮电大学就宣布研发成功8英寸氧化镓晶圆，如此一下子就超越了日本和美国，这意味着中国在第四代芯片材料方面已取得领先优势。

回顾这几年中国芯片产业的发展，可以看出只要美国限制的芯片技术，中国总能迅速打破空白，例如GPU芯片、射频芯片、模拟芯片等等，如今在氧化镓芯片材料方面赶超日本和美国可谓情理之中，可以说美国的逼迫反而逼出了中国芯片行业的潜力，加快了芯片产业的发展，面对如此结果，可以说美国真的是搬起石头砸自己的脚。
来源：http://www.yidianzixun.com/article/0o74vl64
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